TRP, DRAM Timing tRP, Row Precharge Time, DRAM RAS Precharge, SDRAM RAS # Precharge

Інші ідентичні за призначенням опції: DRAM Timing tRP, Row Precharge Time, DRAM RAS Precharge, SDRAM RAS # Precharge.

Функція tRP входить в категорію опцій BIOS, призначених для тонкої настройки параметрів роботи оперативної пам’яті комп’ютера. Можливі значення даної опції залежать від технології виготовлення модулів оперативної пам’яті (ОЗУ) і, як правило, вказуються в тактах системної шини. Діапазон значень опції досить широкий і варіюється в межах від 2 до 10 тактів. Крім того, функція може приймати і значення Auto (Автоматичний вибір). У багатьох BIOS опція може носити також і інші назви.

Принцип роботи

Назва функції tRP розшифровується як Time to RAS Precharge (Період для попереднього заряду RAS).

Для того, щоб розібратися з принципом роботи опції, необхідно зробити невеликий екскурс в подробиці функціонування мікросхем оперативної пам’яті. Сигналом RAS (Raw Adress Strobe, стрибає адреси рядка) називається спеціальний сигнал, який дозволяє контролеру мікросхеми пам’яті вибирати певну рядок пам’яті. Спільно з іншим сигналом, CAS (Column Adress Strobe, стрибає адреси колонки) сигнал RAS може здійснювати зчитування потрібної комірки пам’яті.

Також сигнал RAS використовується при проведенні регенерації оперативної пам’яті. Оскільки оперативна пам’ять відноситься до категорії динамічної ОЗУ, то її осередки через певний проміжок часу розряджаються і вимагають періодичної перезарядки. Тому дані, що містяться в динамічної пам’яті, час від часу регенеруються (оновлюються).

Описувана опція визначає кількість циклів (тактів системної шини), які відокремлюють зняття сигналу RAS, припинення роботи з рядком даних і включення спеціального сигнал попереднього заряду Precharge від моменту активізації рядка даних. Фактично час попереднього заряду визначає той період, протягом якого рядок пам’яті є неактивною. Під час цієї паузи відбувається регенерація рядки пам’яті, тобто, запис з буфера в рядок пам’яті інформації, збереженої на попередньому етапі.

Час попереднього заряду входить в стандартний робочий цикл модулів ОЗУ. Тому, якщо час попереднього заряду RAS занадто велике, то воно може негативно вплинути на продуктивність модулів ОЗУ, і як наслідок, всього персонального комп’ютера. Зменшення ж часу попереднього заряду RAS збільшує продуктивність модулів ОЗУ завдяки тому, що зменшується час активізації нових рядків пам’яті. З цього випливає, що опція tRP і подібні їй опції можуть виявитися корисними при проведенні заходів по розгону оперативної пам’яті і оптимізації її роботи.

Однак скорочення часу попереднього заряду, наприклад, до значення в 2 такту системної шини може призвести до негативних наслідків. Настільки малий час заряду може бути недостатнім для регенерації багатьох модулів ОЗУ і привести до того, що активна рядок може втратити свій вміст. Також це може привести до пошкодження даних під час звернення контролера ОЗУ до рядка для операцій читання або запису.

Значення кількості тактів, які вказуються в опції в якості варіантів, залежать від типу встановлених на материнській платі модулів пам’яті. Для модулів, виготовлених за технологією DDR SDRAM ці значення можуть становити від 2 до 4 тактів, для DDR2 SDRAM – від 3 до 6, для DDR3 SDRAM – від 6 до 9.

Також в опції може бути присутнім значення Auto, при цьому інформація про час перезарядки буде братися зі спеціальної мікросхеми SPD, якою оснащені модулі пам’яті.

Варто ще відзначити, що не слід плутати цю опцію з іншої опцією BIOS – Refresh RAS Active Time, яка визначає тривалість самого сигналу RAS.

Яке значення вибрати?

У більшості випадків найкраще залишити значення Auto, щоб BIOS автоматично змогла б вибрати потрібний параметр часу попереднього заряду пам’яті.

Якщо ви хочете збільшити швидкодію ОЗУ, то рекомендується встановити мінімальне значення. Однак якщо система при цьому працює нестабільно, то краще за все збільшити значення часу попереднього заряду.

Ссылка на основную публикацию